Discovery Sagaサイレントキーワード俯瞰

触媒 / 金属間化合物 / 微粒子 / アセチレン / 部分水素化 / PROX反応 / 白金 / ニッケル / Pt / Ni / 選択的水素化 / 選択酸化 / CO

非担持および担持金属間化合物(Ni_3Ge、Pd_3Bi、Pt_3Sn、PtCuおよびPt_3Co)のXRDを測定し、結晶相を同定し、結晶子径を求めた。空気中で保存した金属間化合物の昇温還元プロファイルを測定し、還元条件を求めた。吸着COのIRスペクトルを測定した結果、Ni_3GeではNiからGeへ、Pd_3BiではBiからPdへの電子移動が観察された。また、調製した担持金属間化合物を触媒として、H_2-D_2平衡化反応を行った。その結果Ni_3GeはNiとほぼ同等の活性を示したのに対し、他の金属間化合物はPdおよびPtよりかなり低い活性を示した。
シリカに担持したNi系およびPd系金属間化合物微粒子を触媒として、アセチレンの部分水素化によるエチレン合成を行った。検討した化合物のうち、Ni_3GeおよびPd_3Biがエチレン生成に対する高い選択性を示した。特にPd_3Bi/SiO_2は、工業用触媒であるPd-Ag/SiO_2より高い選択性および安定性を示した。さらに、エチレン中の微量アセチレンの水素化に対して有効であることも見出した。また、Pt_3SnをH-SAPO-11に担持した触媒が、ブタンからのイソブテン合成に高い選択性をもつことを見出した。一方、水素中微量COの選択酸化反応に対する、Pt系金属間化合物の触媒作用ついて検討した結果、PtCu/SiO_2およびPt_3Co/SiO_2が低温においてPt/SiO_2よりはるかに高い活性を示すことを見出した。水の添加効果を検討した結果、PtCuにおいては一部の水素の酸化により生成する水が触媒表面への酸素の吸着を促進する効果をもち、そのためCOの酸化が促進されることを明らかにした。速度論的解析から、Pt_3Co触媒ではCo上に酸素が解離吸着するため低温でCOの酸化が促進されることが明らかとなった。

金属間化合物 / 触媒 / 遷移元素 / 白金 / チタン / ニッケル / 水素化 / 微粒子 / 高機能触媒 / FT合成 / メタン / リフォーミング / 二酸化炭素

高い触媒活性をもつ遷移元素どうしの組み合わせによる金属間化合物を調製し、その触媒特性を解明することにより高機能触媒の開発を目指した。
Pt、Pd、NiおよびCoと4〜7族のTi、Zr、V、Cr、Mnなどの遷移元素の組み合わせについて、混合溶融法により金属間化合物を調製した。空気中で粉砕し粒径を25μm以下にそろえた。粉末X線回折により、目的とする金属間化合物が単一相で形成されていることを確認した。まず、常圧流通系反応装置を用いてメタンのCO_2リフォーミングを行った。Ni系およびCo系金属間化合物について検討した結果、いずれの場合もハフニウムとの組み合わせの化合物が高い触媒活性および安定性を示した。次に、Ru系およびCo系金属間化合物について、高圧流通系反応装置を用いてFT合成反応を行った。RuTiがC5以上の炭化水素生成に対し、高い選択性を示すことを明らかにした。CVD法によりシリカゲル上にRuTi微粒子を形成することに成功し、それがFT合成に高い選択性を示すことを見いだした。また、エチレンの水素化に対して、TiPt_3がPtより高い活性を示すことを見いだした。TiPt_3の微粒子化について、Pt/TiO_2の高温還元、Pt/Si_O2上へのTiのCVDによる担持、TiO_2/SiO_2上へのPtの逐次含浸担持の3通りの方法を検討した。その結果、TiO_2/SiO_2上へのPtの逐次含浸担持により、表面がすべてTiPt_3で覆われたPt微粒子が形成されることが分かった。この触媒は、エチレン水素化およびH_2-D_2平衡化反応に対し、Pt/SiO_2より高いTOFを示した。また、ブタジエンの水素化においては金属間化合物の特徴である高いブテン選択性を示した。すなわちTiO_x/SiO_2上へのPtの逐次含浸担持により、触媒としてTiPt_3微粒子と等価な金属間化合物微粒子を得ることに成功した。

金属間化合物 / 触媒 / 白金 / ニッケル / CVD / 部分水素化 / 脱水素 / 微粒子 / パラジウム / 鉄 / フェロセン / アセトキシル化 / シクロヘキサン脱水素 / スズ / アセチレン水素化 / H_2-D_2平衡化 / XPS / XANES / TiPt_3

Ni-Sn、Pd-Geなどの遷移元素-典型元素、Ti-Pt、Ru-Tiなどの遷移元素-遷移元素の組み合わせによる金属間化合物について、触媒特性を検討した。非担持触媒は、アーク溶融法を用いて調製したインゴットを粉砕することにより得た。これを水素処理し、空気により酸化された表面を還元した。XRD、EDX、XPSの結果から、均一な組成の金属間化合物が得られたこと、および表面においても化合物が形成されることを明らかにした。典型元素を含むNi_3Sn、Pt_3Geなどは、NiやPtと比べて水素分子の解離能がはるかに低いが、アセチレンやブタジェンの部分水素化に高い選択性を示した。一方、Ti_3PtおよびTiPt_3はPtより高い水素解離能をもつことを見出した。
上記の金属間化合物を、CVD法あるいは逐次含浸法でシリカゲル上に高分散担持した。CVD法では、Sn(CH_3)_4、Ge(acac)_2Cl_2、Ti(C_5H_5)_2Cl_2などを水素とともにNi/SiO_2、Pt/H-ZSM-5、Ru/SiO_2などに供給し、Sn、Ge、Tiを蒸着させた。XRD、XPS、XAFSにより、担持した粒子が2-40nmの粒径をもつ単一相の金属間化合物微粒子であることを確認した。触媒活性は非担持化合物と比較し、高分散微粒子化により約3桁向上した。選択性については金属単体触媒にはない以下の性質を見いだした。Ni_3Sn/SiO_2はシクロヘキサンの脱水素においてベンゼンを選択的に与えた。トルエンの酸化的アセトキシル化において、シリカに担持したPd_3Bi、Pd_3Pb、PdInなどがPd/SiO_2と比較して、はるかに高い収率で酢酸ベンジルを与えた。また、RuTi/シリカはフィッシャー・トロプシュ合成において、液状炭化水素を高選択的に与える触媒であることが分かつた。Pt_3Ge/H-ZSM-5上ではブタンから高収率で芳香族炭化水素が生成した。