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電子構造
に関するサイレントキーワード
エピタキシャル薄膜
が含まれる科研費採択研究1件
電子構造
に関するサイレントキーワード
エピタキシャル薄膜
が含まれる科研費採択研究 1件
トポタクティック反応を用いた水素ドープ1111型鉄系超伝導体薄膜の電子状態解析
【研究領域課題番号】
22K14601 (KAKENデータベースで見る)
【研究キーワード】
鉄系超伝導体 /
エピタキシャル薄膜
/
電子構造
【研究代表者】
半沢 幸太 東京工業大学 科学技術創成研究院 助教
(Kakenデータベース)
【研究種目】若手研究
【研究期間】2022-04-01 - 2024-03-31
【配分額】4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)