【研究分野】物性Ⅱ

【研究領域課題番号】16H06717 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

シフト電流 / Berry位相 / ワイル半金属 / 二次高調波発生 / 光起電効果 / 非線形応答 / 非平衡現象 / 物性理論 / 半導体物性 / 光応答 / 光物性 / 強相関電子系

【研究成果の概要】

空間反転対称性の破れた物質に特有の物理現象である異常光起電効果および二次高調波発生をゼロギャップ半導体から絶縁体までの異なる性質を持つ物質系を対象として理論的に研究した．そして，ゼロギャップ半導体では，絶縁体とは異なる機構による異常光起電効果および二次高調波発生が見られることを見出した．また，絶縁体における研究では，Rice-Mele模型における異常光電流を非平衡Green関数法を用いて解析した．そして，従来のpn接合系における光起電効果と異なり，異常光起電効果が光電子の励起位置によらないことを確認した．これらの成果は今後の異常光起電効果の実験的研究に対して指針を提供することが期待できる．

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【配分額】2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)

【研究分野】物性Ⅰ

【研究領域課題番号】21244047 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

表面・界面 / 低温物性 / 表面物性 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 強相関電子系

【研究成果の概要】

高移動度シリコン２次元電子系に対して、磁場に対する角度をその場制御しながら磁気抵抗効果の測定を行った。非整数のランダウ準位充填率においてランダウ準位交差を行ったところ、電子局在に相当する縦抵抗の明瞭なディップが観測された。
直流抵抗で金属的温度依存性を示す同系に対して、低温下でサイクロトロン共鳴の測定を行った。緩和時間は、直流抵抗から得られるものと同様の温度依存性を示した。
GaAs劈開表面に形成したPb単原子層膜における超伝導を調べた。実験結果は、大きなRashba分裂を持つ２次元金属に対して予想されていた空間変調を有する超伝導状態によって説明された。

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2009-04-01 - 2013-03-31

【配分額】46,930千円 (直接経費: 36,100千円、間接経費: 10,830千円)