【研究分野】結晶工学

【研究領域課題番号】26706014 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

グラフェン / 表面・界面物性 / 表面物性 / エピタキシャル成長

【研究成果の概要】

本研究では、SiC基板上に作製した炭化物薄膜の熱分解により、様々な特徴を有するグラフェンを成長することを目的とした。その結果、まずSiC上炭化アルミニウム薄膜から作製したグラフェンは、アルミニウムがドープされていることを示唆する実験結果が得られた。SiC上炭化ホウ素薄膜由来のグラフェンでは、高濃度にホウ素がドープされ、スピングラス挙動が観察された。このように、炭化物熱分解によるグラフェン成長は、これまでにない新たな構造や物性を持つグラフェンを作製する手法として有効であることが明らかになった。

【研究種目】若手研究(A)

【研究期間】2014-04-01 - 2017-03-31

【配分額】24,050千円 (直接経費: 18,500千円、間接経費: 5,550千円)