自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM
【研究キーワード】
Nano-wire / FinFET / 自己発熱効果 / Nanowire / p/n vertical integration / Self-heating effect / Multi-input NOR / P/n vertical integration / 半導体 / MISFET / ナノワイヤ
【研究成果の概要】
超低消費電力LSI向けMOSFET技術について、Nano-wire (NW)構造による微細化が有効である。しかし自己発熱による駆動電流低下が問題であり、FinFET上にNWを積層することで基板へ通じる放熱経路を確保(リセスコンタクト)することが有効である。そこでp/n積層NW/FinFETsによるInverterやTransfer gate, NOR, NAND, 多入力NOR/NAND, SRAM について、自己発熱効果抑制と面積削減効果を明らかにした。次に本構造ではNANDよりもNORで自己発熱効果が顕著であるが、5入力までであれば駆動電流を大きく維持できることを明らかにした。
【研究の社会的意義】
この成果は今後のLogic LSIの高性能化のために重要な知見であると考えられ、今後のサステナブル社会に資すると考えられる。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 宗田 伊理也 | 東京工業大学 | 工学院 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2018-04-01 - 2021-03-31
【配分額】4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)