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本研究では、安価で大面積な雲母（マイカ）基板上への高品質GaN系半導体結晶成長技術の開発と、フレキシブル発光素子の作製を行った。マイカ基板上へのGaNエピタキシャル成長において、界面AlNバッファ層導入の有無によってGaN薄膜の極性制御が可能になることを見出した。また、量子井戸構造作製技術や伝導性制御技術を開発し、マイカ上で発光素子を動作させる事に成功した。さらに、湾曲した状態でのLED動作も確認した。本研究で開発したマイカ上へのⅢ族窒化物デバイス作製技術を用いれば、フレキシブルな透明窒化物エレクトロニクスの実現が期待できる。