窒化物半導体歪み補償量子井戸によるマルチバンド太陽電池
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
量子井戸 / 歪み補償 / 太陽電池 / サブバンド間吸収 / III-V化合物半導体 / 超格子 / in situ観察 / 窒化物半導体 / 2段階光電変換
【研究成果の概要】
III-V族化合物半導体の量子井戸を用い，３準位系による２段階光電変換を実現し，50%以上のエネルギー変換効率が予測されているマルチバンド太陽電池の実現を目指した．まず，構造制御技術が確立しているInGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸を用いた２段階光電変換を，トンネルによるキャリア輸送が可能な超格子構造について実証した．次に，高効率光電変換に適したワイドギャップ３準位系を形成するためのInGaN/AlGaN歪み補償量子井戸積層技術を構築し，従来のInGaN/GaN量子井戸に比べて良好な構造制御性おより発光特性を確認した．最後に本構造からの光励起キャリア取り出しについて基礎検証を行った．
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2011-04-01 - 2014-03-31
【配分額】27,950千円 (直接経費: 21,500千円、間接経費: 6,450千円)