分極制御による可視光応答・高耐久性窒化物半導体人工光合成デバイス
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
光触媒 / 化合物半導体 / 分極制御 / 有機金属気相成長 / 再生可能エネルギー / 半導体 / 結晶成長 / 光電気化学 / 窒化ガリウム / 表面構造 / フェルミエネルギー / GaN / エピタキシャル成長 / 分極
【研究成果の概要】
AlN極薄層を用いた分極制御トンネル接合を用い，n型窒化物エピタキシャル結晶（GaNおよびInGaN）を光吸収層とする光カソード電極の作製と動作実証に成功した．デバイスシミュレーションに設計したAlNトンネル接合を得るため，低温成長やガス切り替えシーケンスの最適化などエピタキシャル成長における新手法を開発した．さらに，PtによりGaN表面修飾により，外部電位を用いない光水分解による水素生成を達成した．
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 藤井 克司 | 北九州市立大学 | 付置研究所 | 教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31
【配分額】44,720千円 (直接経費: 34,400千円、間接経費: 10,320千円)