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半導体量子構造 / スピントロニクス / 化合物半導体 / スピン緩和 / 時間分解測定 / スピン偏極電子源 / スピン緩和時間 / 量子井戸 / 量子構造 / デバイス / ピコ秒

光励起によるスピン偏極率の向上と長寿命化を図るために、GaAs量子井戸の隣にAlGaAsバリア層を介してタイプII型AlAs量子井戸を積層したタイプII型トンネル双量子井戸のトンネル時間とスピン緩和時間を測定した。その結果、バリア層が異なるとスピン緩和時間の励起光強度依存性が異なることが明らかになった。また、III-V族化合物半導体のスピン緩和の知見を広げ長時間化をはかるためにGaAs/AlGaAs量子井戸のスピン緩和の井戸幅依存性、GaSb/AlSb多重量子井戸のスピン緩和、低温成長GaAsのスピン緩和の成長温度依存性、Beドープｐ型GaAsのスピン緩和のドーピング濃度依存性を調べた。