超臨界流体を利用したナノキャパシタ構造形成プロセスの構築
【研究分野】反応工学・プロセスシステム
【研究キーワード】
超臨界流体 / 薄膜合成 / プロセス開発 / DRAM / FeRAM / 電極 / 高誘電体 / 強 誘電体 / 超臨界流体薄膜合成 / 強誘電体 / ナノキャパシタ / 電極形成 / SrRuO3 / SrTiO3 / BiTiO3 / 超臨界 / 電極金属 / ステップカバレッジ / メモリーデバイス / 薄膜形成 / 金属・酸化膜積層構造形成
【研究成果の概要】
超臨界二酸化炭素に有機金属を溶解させ,これを加熱された基板上にて反応させ,薄膜を形成する超臨界流体薄膜形成法(SupercriticalFluidDeposition,SCFD)を用い,超高集積化が進むDRAMやFeRAMなどのメモリデバイス用ナノキャパシタを形成するプロセスの開発を行った。電極材料としてのRu,Pt,SrRuO3,また,高誘電体・強誘電体材料としてのTiO2,SrTiO3,BiTiO3合成を検討し,従来良く用いられているCVDやALDプロセスと同等の段差被覆性を達成し,かつ,より低温での合成を可能とした。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 百瀬 健 | 東京大学 | 大学院・工学系研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2010 - 2012
【配分額】19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)