【研究分野】無機材料・物性

【研究領域課題番号】19360295 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

機能性セラミックス / 低温動作酸化物イオン伝導体 / 酸化物イオン導電体 / エピタキシャル薄膜 / 酸素センサー / Si基板 / 酸素濃淡電池 / PLD装置 / 反応性イオンエッチング

【研究成果の概要】

YSZあるいはGd_2O_3添加CeO_2系酸化物イオン導電体をSi基板上にエピタキシャル薄膜化することで、従来の焼結体の固体電解質に比べて、低温の280～350℃程度で動作することを見いだした。この現象は、固体電解質を数十nm～数μmと非常に薄くすることによる内部抵抗の減少と、製膜時に発生する圧縮応力と基板と電解質の間に働く熱膨張差による引っ張り応力による複雑な応力状態により説明できることを明らかにした。

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2007 - 2009

【配分額】20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)