Discovery Sagaサイレントキーワード俯瞰

InAs/GaAsSb系タイプII量子ドットを応用した中間バンド型太陽電池の作製と特性評価の研究を行った。励起キャリアの長寿命化の効果により、中間バンドを介した2段階の光吸収過程を室温で明瞭に観察することに成功した。次に、量子構造における光励起キャリアの励起・緩和過程を超高速で追跡し、光応答特性を明らかにするため、ポンプ・プローブ方式の超高速発光寿命特性を解析した。Siを直接ドープしたInAs/GaAs量子ドットでは無輻射遷移の抑制効果の励起エネルギー依存の詳細を明らかにするとともに、直接ドープによってチャージした量子ドットでは光励起したキャリアが再び基底状態にまで緩和する過程を抑制できることを見出した。さらに、量子ドット超格子により形成された中間バンドは、量子ドット端面からの発光がTEモード、TMモードが等価に近づくことで形成が確認できる。InAs量子ドットのスペーサー層の膜厚コントロールによるEL発光の偏光依存性について測定を行った結果、中間層10nmの試料においてはTM偏光の発光が大きくなっており、量子ドット間の結合が強くなっていることを確認した。

【研究分担者】
喜多隆	神戸大学	大学院・工学研究科	教授	(Kakenデータベース)
赤羽浩一	情報通信研究機構	光ネットワーク研究所	主任研究員	(Kakenデータベース)