多機能金属細線によるナノ電子デバイス温度分布の研究
【研究分野】ナノ構造物理
【研究キーワード】
ナノ電子デバイス / 自己加熱効果 / アナログ特性 / フォノン輸送 / ナノワイヤ / SOI MOSFET / FinFET / フォノン / バリスティック輸送 / 自己加熱 / トランジスタ温度分布 / 界面熱抵抗 / ナノ半導体 / 熱伝導率
【研究成果の概要】
ナノスケール半導体電子デバイスにおける，動作時温度分布の測定・解析および温度上昇が性能に与える影響の評価を行った．その結果，熱特性の最適化によって次世代立体構造トランジスタの消費電力を性能を低下させることなく低減できることを示した．また，ナノスケールの電子デバイスでは，従来の熱特性評価手法では温度を正しく見積もれないことをナノワイヤ熱物性の測定から実験的に明らかにした．
【研究代表者】
【研究協力者】 |
| 内田 建 | 慶應義塾大学 | 理工学部 | 教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2014-04-01 - 2017-03-31
【配分額】4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)