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研究キーワード:名古屋大学における「結晶方位」 に関係する研究一覧:4件
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発表日:2026年6月23日
1
海底深部の岩石に"微小な割れ"の証拠を発見
~結晶内の弱面が流体の侵入経路となる可能性を示唆~
・海洋下部地殻を構成するハンレイ岩中の斜長石(しゃちょうせき)から、応力腐食割れ注1)の証拠を新たに発見した。・結晶学的に弱い面が、流体の侵入経路となっていた可能性を示した。・海洋下部地殻の力学的挙動や流体の通りやすさの変化を理解する手掛かりとなる。 国立極地研究所の二村 康平 特任研究員(研究当時:名古屋大学大学院環境学研究科)、大阪公立大学大学院理学研究科の奥平 敬元 教授および名古屋大学大学院環境学研究科の道林 克禎 教授らの共同研究グループは、海洋下部地殻の斜長石に応力腐食割れの証拠を新たに発見しました。...
キーワード:極地/海洋/マントル/下部地殻/海洋地殻/上部マントル/化学組成/電子線/走査型電子顕微鏡/地球環境/応力腐食割れ/金属材料/結晶方位/電子顕微鏡/SEM/透水性
他の関係分野:環境学数物系科学総合理工工学農学
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発表日:2026年3月13日
2
次世代パワー半導体"最有力素材"の新規技術を確立
~世界初「酸化ガリウム」成長技術でEV、再エネ、宇宙開発を加速~
・高密度酸素ラジカル源(HD-ORS)を開発し、分子線エピタキシー(MBE)注1)・物理蒸着法(PVD)注2)で原子状酸素密度を従来比2倍に向上。・HD-ORSを用いたMBEで、300℃、1µm/hにて次世代パワー化合物半導体注3)である酸化ガリウム(Ga₂O₃)注4)の高速ホモエピタキシャル成長注5)を実現。・PVDにおいてもHD-ORSを活用することにより、1µm/h超の高速成長で安定した(001)面ホモエピタキシャル膜を実現。...
キーワード:CdTe/超高真空/GaN/InP/エピタキシャル成長/パワーデバイス/ヘテロエピタキシー/分子線エピタキシー(MBE)/省エネ/エピタキシー/エピタキシャル/単結晶/SiC/スパッタリング/化合物半導体/結晶化/結晶成長/結晶方位/原子状酸素/熱処理/熱伝導/半導体/結晶構造/ラジカル
他の関係分野:数物系科学工学農学
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発表日:2025年12月10日
3
電流を使わず人工反強磁性体の電界制御技術を構築 超省エネルギー型スピントロニクスデバイスへの応用に新たな扉
・ジュール発熱注1)の原因となる電流を用いず、電界のみで磁気結合の制御を実証。・[Co/Ru/Co] エピタキシャル注2)多層膜人工反強磁性体注3)/圧電単結晶注4)PMN-PTヘテロ構造の創製。・人工反強磁性体[Co/Ru/Co] エピタキシャル多層膜における層間磁気結合注5)の電界制御に成功。・超低消費電力電界制御型反強磁性スピントロニクスデバイス注6)の実現に新たな道。 名古屋大学大学院理学...
キーワード:反強磁性/反強磁性体/テラヘルツ/磁場/磁気モーメント/磁性体/圧電効果/強磁性/電子デバイス/省エネ/エピタキシャル/圧電体/強磁性体/磁気特性/単結晶/電気抵抗/電子状態/コバルト/シミュレーション/スピン/スピントロニクス/ダイナミクス/マイクロ/結晶方位/省エネルギー/積層構造/多層膜/第一原理/第一原理計算/低消費電力/膜構造/量子力学/層構造/ルテニウム
他の関係分野:数物系科学総合理工工学
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発表日:2025年9月21日
4
ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調
―スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道―
・高性能スピントロニクス※1材料として有名な強磁性※2ホイスラー合金※3の一種であるCo2FeSiと表面弾性波材料※4として有名な圧電体※5ニオブ酸リチウム(LiNbO3)からなるエピタキシャル※6Co2FeSi/LiNbO3界面マルチフェロイク構造※7を実現。・スピン波※8の長距離伝播が示唆される低磁気摩擦特性(低ダンピ...
キーワード:アンテナ/モノのインターネット(IoT)/人工知能(AI)/学際研究/スピン偏極/マグノン/準粒子/磁場/マグノニクス/磁気モーメント/磁性体/表面弾性波/固体表面/スピン波/ダンピング/圧電効果/圧力センサー/強磁性/誘電体/エピタキシャル/ニオブ/ハーフメタル/ホイスラー合金/圧電体/強磁性体/強誘電体/原子配列/単結晶/電気抵抗/アクチュエータ/コバルト/スピン/スピントロニクス/センサー/ダイナミクス/ニオブ酸リチウム/リチウム/結晶成長/結晶方位/積層構造/弾性波/低消費電力/二酸化炭素/半導体/摩擦特性/量子力学/力センサー/層構造
他の関係分野:情報学環境学数物系科学総合理工工学
名古屋大学 研究シーズ