・次世代高記憶密度磁気デバイス材料として期待されるFePd薄膜において、高性能化に必要な「原子の整列（規則化）」と、材料が劣化する「膜の崩壊（デウェッティング）」が互いに競合するメカニズムを解明しました。・これまで性能低下が課題であった「魔の中間温度域（300～400℃）」において、積層欠陥やナノサイズの空隙が発生する原因を、理論計算と原子レベルの観察により明らかにしました。・この発見により、高品質なFePd薄膜を安定して製造するための「最適な温度と時間のレシピ」が明確になり、超高密度ストレージや省電力デバイスの実現が加速します。 富山大学...