産業技術総合研究所 研究脱炭素を支えるSiCパワー半導体の利用拡大を規格が後押し
－ウェハ欠陥試験法の国際標準化によりSiC製品の普及を促進－
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
【Sagaキーワード】
発表・掲載日：2026/07/21
ポイント
SiCウェハ欠陥の国際的に統一された品質評価基準がなく、品質ばらつきや信頼性確保が課題従来試験技術で検出困難な欠陥に対応したX線トポグラフ法の国際標準化
SiCパワー半導体の高品質化・高信頼化と市場拡大、国内パワー半導体産業の市場競争力強化に貢献
X線トポグラフ法によるSiC欠陥検査の国際標準化とその効果
電気自動車や再生可能エネルギー分野でのSiCパワー半導体の普及拡大を支えるため、X線トポグラフ法（XRT）によるSiCエピタキシャルウェハの欠陥試験方法を規定した国際規格IEC 63068-5（以下「本規格」という）が発行されました。国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下「産総研」という）は、一般社団法人電子情報技術産業協会（JEITA）をはじめとする産学官の関係機関と協調して、長年にわたり蓄積してきたウェハ品質評価技術およびデバイス信頼性評価技術の知見を結集し、本規格の発行に貢献しました。
これにより、製品として使用できなくなる結晶欠陥の可視化とSiCエピタキシャルウェハ品質評価の高度化が進み、国内外でのSiC製品の普及拡大と脱炭素社会の実現に貢献します。