バリア層組成揺らぎを利用した量子構造における弱局在状態の制御
【研究分野】薄膜・表面界面物性
【研究キーワード】
量子井戸 / 量子ドット / 濡れ層 / 波動関数 / 界面揺らぎ / 組成揺らぎ / 局在状能 / 近接場光学顕微鏡 / 活性化エネルギー / 局在状態 / 界面物性 / 励起子 / 磁気発光分光
【研究成果の概要】
1～3原子層の厚さを有する量子井戸や量子ドット濡れ層に閉じ込められた電子の波動関数はバリア層に大きく浸み出すため、その電子状態の詳細は、バリア層におけるさまざまな揺らぎを明らかにする上で良いプローブとなる。そこで本研究では、近接場光学顕微鏡を用いたナノイメージング分光法と数値シミュレーションを駆使し、局在電子状態の解明をおこない、バリア層揺らぎとの関連を明らかにした。さらに、局所的な応力印加を利用した量子状態制御のデモンストレーションをおこなった。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2008 - 2010
【配分額】17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)