触媒金属のクロライド化除去によるCVDグラフェンの高移動度化
【研究分野】金属生産工学
【研究キーワード】
グラフェン / CVD / 単結晶 / 高移動度 / Cu / MICA
【研究成果の概要】
グラフェン合成方法で,CVD法は高品質かつ大面積成長の観点から最も有望である.本研究では,単結晶Al2O3やMgOを代わる基板としてFujiiらが報告している単結晶マイカ(001)を選択しグラフェンの触媒の単結晶Cu膜を堆積した.マイカ上に堆積した800 nm厚さのCu膜は(111)配向した単結晶であり,表面粗さ0.5nmと比較的フラットな面を達成している.成長時の導入ガス量を制御することで,高品質かつ大面積グラフェンの合成に成功した.移動度として4500cm2/Vs程度の値を得ている.
【研究代表者】
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2012-04-01 - 2014-03-31
【配分額】4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)