高度な量子情報通信機能に向けた半導体中の単一不純物準位の制御と利用に関する研究
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
量子閉じ込め / 量子ドット / 励起子 / 単一光子 / 等電子準位 / 不純物 / MOCVD
【研究成果の概要】
発光波長や強度などの特性が揃った単一光子源への応用を目指し、III-V族半導体中の等電子不純物による局在準位の制御と利用に関する研究を行った。具体的には、ガリウム砒素中の窒素不純物の最適なドーピング手法を調べ、エネルギーの揃った単一光子発生を世界で初めて実証するとともに、発光寿命や偏光などの特性について明らかにした。本研究によって多くの基礎データが取得でき、今後の技術開発に不可欠な有益な知見が得られた。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
池沢 道男 | 筑波大学 | 数理物質科学研究科 | 准教授 | (Kakenデータベース) |
斎木 敏治 | 慶応大学 | 理工学部 | 教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2010 - 2012
【配分額】15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)