ダイヤモンド半導体/強磁性体ハイブリッド構造による新規スピンデバイスの創製
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
量子デバイス・スピンデバイス / ダイヤモンド / ダイヤモンド半導体 / 強磁性 / スピン注入 / スピンデバイス / ハーフメタル / ショットキー接合 / スピントロニクス / 強磁性体 / ホイスラー合金
【研究成果の概要】
本研究では、ダイヤモンド半導体と強磁性体を融合する事により、新規スピンデバイスを作製する事を目的とした。その結果、以下の3つの重要な成果を得た。
(1)ダイヤモンド上で強磁性ホイスラーハーフメタル(Co_2MnSi)がエピタキシャル成長する事を初めて見出した。(2)ダイヤモンド半導体を用いた強磁性ショットキー接合を作製し、障壁高さが強磁性体の仕事関数の選択により制御可能である事を示した。(3)強磁性Ni/高濃度ホウ素ドープダイヤモンド半導体を用いた3端子測定から、スピン注入に由来の信号を得た(τ=~20ps)。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2010 - 2011
【配分額】4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)