シリコン上ゲルマニウムエピタキシャル層を用いた1. 5ミクロン帯発光素子の開拓
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / 発光 / MBE、エピタキシャル / 半導体物性 / 光物性 / 光源技術 / 微小共振器
【研究成果の概要】
Si基板上にエピタキシャル成長したGe層を用い、電流注入型1. 5μm帯発光素子を実現することを目的として、研究を実施した。Si上Ge-pinダイオードにおいて、直接遷移による1. 5μm帯電流注入発光を観測した。発光の高効率化には、Geの伝導帯「点へ電子を注入し、価電子帯「点の正孔と再結合させることが効果的である。Г点に伝導帯下端をもつGaAsを電子注入に用いるn-GaAs/i-Ge/p-Siダイオードの作製を進めた。
【研究代表者】