スパッタ法によるシリサイド薄膜構造形成過程の理解と電子デバイスへの適用
【研究分野】反応工学・プロセスシステム
【研究キーワード】
コバルトシリサイド / スパッタ / 結晶成長 / 核発生と成長 / 配向 / 界面ラフネス / 半導体デバイス
【研究成果の概要】
MOSFET-LSI の電極・配線材料として広く使用されているシリサイド薄膜において、トランジスタ特性のばらつきの原因となるシリサイド/絶縁膜界面ラフネスのないCoSi_2 膜(膜厚30nm)を低温(<500℃)で形成させた。ここではCo とSi の同時成膜によるCoSi_2 多結晶膜形成を試み、結晶成長の立場から膜構造形成メカニズムを理解した。また、CoSi_2電極の電気的機能評価を行い、プロセス-構造-機能の関係を明らかにした。
【研究代表者】
【研究協力者】 |
中村 新一 | 青山学院大学 | 機器分析センター | 技術主幹 |
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【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2007 - 2008
【配分額】4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)