強誘電性液晶構造の解明と界面により制御
【研究分野】応用物性
【研究キーワード】
強誘電性液晶 / キラルスメクティックC / 反強誘電性液晶 / 電界誘起相転移 / 3安定状態間スイッチング / 「く」の字層構造 / スメクティック層スイッチング / X線回折 / 反強誘電性
【研究成果の概要】
強誘電性および反強誘電性液晶におけるスイッチング機構の解明が目的である。主要設備として購入したPSPCシステムおよび温度制御オ-ブンを調整・稼働させ、電界を印加しながらX線回折実験を再現性よく行なえるようにした.偏光顕微鏡観察も併用して配向べクトルおよび層構造の解析を行なった.
(1)ナフタリン系の混合液晶において,層の「く」の字変形は層間隔の変化に起因することを定量的に確認し、質温で変形が回避されている原因を明らかにした.(Jpn.J.Appl.phys.29(1990)L984ーL986およびMol.Cryst.Liq.Cryst.(1991)印刷中)
(2)電界を印加しながらX線回折実験を行なえるように装置を改良し,AFS強誘電性液晶のスメクティック層スイッチングが反強誘電ー強誘電相転移に符合していることを明らかにした.(Jpn.J.appl.Phys.29(1990)L111ーL114)
(3)AFS強誘電性液晶におけるスイッチング過程の空間的・時間的挙動を分極の変化に伴う電流,透過光強度の変化およびストロボ顕微鏡写真により研究し,反強誘電ー強誘電スイッチングには前駆現象に関連した速い成分とドメイン反転による遅い成分とが存在することが明らかにした.(Jpn.J.Appl.phys.29(1990)L107ーL110)
(4)4ー(1ーtrifluoromethylheptyloxycarbony)phenyl 4ー(5ーdodecyloxypyrimidinー2ーyl)bonzoate(TF MHPDOPB)のS体とR体とを混合し,層間隔がSmA相においても光学純度に依存することが確認し,反強誘電性安定の解明に端緒を見出した.(Jpn.J.Appl.Phys.30(1991)投稿中)
【研究代表者】