「エピタキシャル成長」に関するサイレントキーワード「表面・界面物性」が含まれる科研費採択研究2件

【研究名】遷移金属酸化物のエピタキシーと電子相解析による電極活物質の開発
【研究代表者】大友 明  東京工業大学   物質理工学院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010344722/	
【研究連携者】     
松本 祐司  東北大学  工学研究科  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060302981/	
組頭 広志  高エネルギー加速器研究機構  物質構造科学研究所  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000345092/	
吉松 公平  東京工業大学  物質理工学院  助教  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030711030/	
【研究協力者】
増子 尚徳  
中村 研太郎  
黒川 輝  
相馬 拓人   

【研究名】SiCをプラットフォームとする新規グラフェン成長手法の確立
【研究代表者】乗松 航  名古屋大学   工学(系)研究科(研究院)   助教 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030409669/	
【研究協力者】
楠 美智子  
包 建峰  
松田 敬太  
増森 淳史  
宮本 玄生  
鶴田 遥香  
福井 舞  
髙田 奈央